Dokument origjinal(skedë SVG, fillimisht 300 × 175 pixel, madhësia e skedës: 9 KB)

Kjo skedë është prej Wikimedia Commons dhe mund të përdoret nga projekte të tjera. Përshkrimi në këtë skedë në këtë faqe nuk është treguar më poshtë. Shko tek faqja përshkruese në Commons Shko tek faqja përshkruese në Commons

Përshkrimi
English: A schematic cross section of a planar NPN BJT, showing the three differently doped silicon regions.
Data
Burimi Punë e juaja
Autori Inductiveload
Leja
(Ripërdor këtë skedë)
Public domain Unë,krijuesi i kësaj pune, e lëshoj këtë punë në public domain. Kjo aplikohet në të gjithë botën.
Në disa vende kjo mund të mos jetë e mundur ligjërisht; nëse është kështu:
Unë i garantoj çdokujt të drejtën për ta përdorur këtë punë për çdo qëllim, pa asnjë kusht, përveç rasteve kur këto kushte janë të kërkuara nga ligji.

Captions

Add a one-line explanation of what this file represents

Items portrayed in this file

përshkruan

2 gusht 2010

Historiku skedës

Shtypni mbi një datë/kohë për ta parë skedën siç ishte atëherë.

Data/KohaMiniaturëPërmasatPërdoruesiKoment
e tanishme1 nëntor 2017 09:49Miniaturë për versionin duke filluar nga 1 nëntor 2017 09:49300 × 175 (9 KB)Mennermore neat proportions
1 nëntor 2017 09:45Miniaturë për versionin duke filluar nga 1 nëntor 2017 09:45300 × 175 (9 KB)MennerA more realistic sketch
2 gusht 2010 08:30Miniaturë për versionin duke filluar nga 2 gusht 2010 08:30300 × 175 (9 KB)Inductiveload{{Information |Description={{en|1=A schematic cross section of a planar NPN BJT, showing the three differently doped silicon regions.}} |Source={{own}} |Author=Inductiveload |Date=2010-08-02 |Permission={{P

Këto faqe lidhen tek kjo skedë:

Përdorimi global i skedës

Kjo skedë përdoret nga Wiki të tjera në vijim:

Metadata