Dallime mes rishikimeve të "Transistori me efekt të fushës"

U kthye versioni 1367208 i bërë nga Bajram.neshati (diskutimet)
(U largua krejt përmbajtja e artikullit.)
(U kthye versioni 1367208 i bërë nga Bajram.neshati (diskutimet))
{{fizi-cung}}
==TRANSISTORI ME EFEKT TË FUSHËS – FET==
===HYRJE===
Transistori me efektet të fushës ose FET transistori (nga anglishtja Field-Effect
Transistor) është lloji i dytë i transistorëve të rëndësishëm, me të cilët do të njihemi në këtë shkrim.<ref>[Myzafere Limani, Qamil Kabashi - ELEKTRONIKA]</ref> Ekzistojnë dy lloje të përgjithshme të FET-ëve: MOSFET (nga anglishtja Metal-OxideSemiconductor FET) dhe JFET (Junction FET). MOSFET –i i ka parapri revolucionit të dytë në
elektronikë në vitet 1970-a dhe 1980-a, kur me zhvillimin e mikroprocesorit është mundësuar
zhvillimi i kompjuterëve personal të fuqishëm dhe të sofistifikuar. MOSFET –i mund të
prodhohet me dimensione shumë të vogla, ashtu që mund të realizohen qarqe të integruara me
dendësi shumë të lartë (VLSI).
[[File:Tranzistori 1.JPG|thumb|Pamja 3-D e tranzistorit]]
Kapitulli do të fillojë me analizën e strukturës fizike dhe veprimit të MOSFET –it. Pastaj
do të nxjerrën karakteristikat rrymë-tension të qarkut dhe pastaj do të trajtohet dc analiza e
qarqeve me MOSFET.
===Struktura===
Në Fig. 5.1(a) është paraqitur prerja tërthore e thjeshtuar e një MOSFET-i.
<ref>[http://fiek.uni-pr.edu/Shpallje/Departamenti03/Bachelor/Viti-II/Literatura.aspx]</ref>
Te ky transistor kemi tri regjione: atë të gate-it (portës), të source-i (burimit) dhe të drain-it (rrjedhës),të cilat formojnë tri terminalet dalëse të transistorit të quajtura sipas këtyre regjioneve. Rryma te MOSFET –i është rezultat i rrjedhës së ngarkesave në regjionin e kanalit.
[[File:Tranzistori 2.JPG|thumb|Pamja 2-D e tranzistorit]]
Gjatësia e kanalit L dhe gjerësia W janë të janë të rendit 1m, që tregon për dimensionet e
transistorit. Trashësia e shtresës së oksidit, tox, është zakonisht e rendit 400 angstrem ose më e
vogël. Në Fig. 5.1(b) është paraqitur prerja më e detalizuar e MOSFET –it të fabrikuar brenda
konfiguracionit të qarkut të integruar. Edhe pse struktura aktuale e një MOSFET –i mund të jetë
dukshëm më e komplikuar, kjo paraqitje e thjeshtuar mund të shfrytëzohet për nxjerrjen e
karakteristikave themelore të transistorit.
Nëse tensioni i polarizimit të gejtit është zero, terminalet e sursit dhe drejnit janë të ndara
me regjionin p të substratit siç është paraqitur në Fig. 5.2 (a). Kjo situatë është ekuivalente me dy
dioda të lidhura në opozitë, Fig. 5.2 (b). Rryma në këtë rast është zero.
Nëse në gejt zbatohet një tension pozitiv, atëherë vrimat “e lira” nën gejt (regjioni i
kanalit) do të shtyhen poshtë në supstrat, duke krijuar në fillim një regjion të varfëruar të
bartësve. Tensioni pozitiv në gejt tërheq elektronet prej regjioneve n+
të sursit dhe drejnit dhe në
shtresën në mes të gjysmëpërçuesit dhe oksidit formohet një shtresë inverse e elektroneve e cila
„lidhë‟ sursin e tipit n dhe drejnin e tipit n siç është paraqitur në Fig. 5.3(b).
Vlera minimale e tensionit VGS e cila akumulon një numër të mjaftueshëm të elektroneve
mobile në regjionin e kanalit duke formuar kështu kanal përçues quhet tension i pragut dhe
shënohet VTN
Pas formimit të kësaj shtrese në mes të këtyre terminaleve mund të gjenerohet rryma. Pasi
që bartësit në shtresën inverse janë elektronet, kjo komponentë quhet MOSFET –i n-kanalesh.
==Referencat==
<references/>