Struktura e kristaleve reale: Dallime mes rishikimesh
| [redaktim i pashqyrtuar] | [Redaktim i kontrolluar] |
Content deleted Content added
përmirësime teknike duke përdorur AWB |
|||
Rreshti 27:
:Defektet e Frenklinit dhe Shotkiut kanë ndikime të mëdha në shumë proçese që zhvillohen në kristale,por me i theksuari është ndikimi i tyre ne veçoritë mekanike,termike,magnetike,optike etj.
===Atomet shtesë===
Është e pamundur të krijohen kristale plotësisht te pastra(idele).Madje edhe me metodat më bashkohore për pastrimin e kristaleve nuk mund të krijohen material absolutisht i pastër.Materialet e pastra mund të përmbajnë deri 10<sup>
:Atomet shtesë në materialin bazik mund të jenë të shpërndara në dy mënyra duke formuar:
# -tretësirë të ngurtë substicionale dhe
Rreshti 35:
Te këto tretësira atomet shtesë vijnë ne vendet e atomeve themelore.Formohen mes dy lloj materialesh,atomet e të cilave kanë madhësi gati të barabarte.Vetëm tretësirat substicionale mund të formohen në të gjitha marrëdhëniet e dy komponenteve përbërëse.
====Tretësirat e ngurtë intersticionale====
Te këto tretësira atomet shtesë marrin pozitat intersticiale në mes të atomeve bazik.Tretvsirat intersticiale kanë ndikim shumë te madh ne veçoritë elektrike.Kështu psh.,[http://en.wikipedia.org/wiki/Silic silici(Si)] i pastër në temperaturë të dhomes duhet të ketë rezistencë elektrike specifike 2000Ωm.Mirëpo kur gjenden shtesa në sasi 10% rezistenca specifike elektrike zvogëlohet në 1Ωm.
==Referenca==
: A.Abazi&J.Krasniqi,Materialet elektroteknike
| |||