Dallime mes rishikimeve të "Transistori me efekt të fushës"

v
prodhohet me dimensione shumë të vogla, ashtu që mund të realizohen qarqe të integruara me
dendësi shumë të lartë (VLSI).
[[File:Tranzistori 1.JPG|thumb|Pamja 3-D e tranzistorit]]
Kapitulli do të fillojë me analizën e strukturës fizike dhe veprimit të MOSFET –it. Pastaj
do të nxjerrën karakteristikat rrymë-tension të qarkut dhe pastaj do të trajtohet dc analiza e
<ref>[http://fiek.uni-pr.edu/Shpallje/Departamenti03/Bachelor/Viti-II/Literatura.aspx]</ref>
Te ky transistor kemi tri regjione: atë të gate-it (portës), të source-i (burimit) dhe të drain-it (rrjedhës),të cilat formojnë tri terminalet dalëse të transistorit të quajtura sipas këtyre regjioneve. Rryma te MOSFET –i është rezultat i rrjedhës së ngarkesave në regjionin e kanalit.
[[File:Tranzistori 2.JPG|thumb|Pamja 2-D e tranzistorit]]
Gjatësia e kanalit L dhe gjerësia W janë të janë të rendit 1m, që tregon për dimensionet e
transistorit. Trashësia e shtresës së oksidit, tox, është zakonisht e rendit 400 angstrem ose më e