Transistori me efekt të fushës: Dallime mes rishikimesh

prodhohet me dimensione shumë të vogla, ashtu që mund të realizohen qarqe të integruara me

dendësi shumë të lartë (VLSI).

Kapitulli do të fillojë me analizën e strukturës fizike dhe veprimit të MOSFET –it. Pastaj

do të nxjerrën karakteristikat rrymë-tension të qarkut dhe pastaj do të trajtohet dc analiza e

<ref>[http://fiek.uni-pr.edu/Shpallje/Departamenti03/Bachelor/Viti-II/Literatura.aspx]</ref>

Te ky transistor kemi tri regjione: atë të gate-it (portës), të source-i (burimit) dhe të drain-it (rrjedhës),të cilat formojnë tri terminalet dalëse të transistorit të quajtura sipas këtyre regjioneve. Rryma te MOSFET –i është rezultat i rrjedhës së ngarkesave në regjionin e kanalit.

Gjatësia e kanalit L dhe gjerësia W janë të janë të rendit 1m, që tregon për dimensionet e

transistorit. Trashësia e shtresës së oksidit, tox, është zakonisht e rendit 400 angstrem ose më e