Dallime mes rishikimeve të "Transistori me efekt të fushës"

Lidhje të jashtme të shpëtuara: 1 Lidhje të jashtme të etiketuara si të vdekura: 0) #IABot (v2.0.8
(Lidhje të jashtme të shpëtuara: 1 Lidhje të jashtme të etiketuara si të vdekura: 0) #IABot (v2.0.8)
===Struktura===
Në Fig. 5.1(a) është paraqitur prerja tërthore e thjeshtuar e një MOSFET-i.
<ref>[{{Cite web |url=http://fiek.uni-pr.edu/Shpallje/Departamenti03/Bachelor/Viti-II/Literatura.aspx] |title=Kopje e arkivuar |access-date=12 qershor 2013 |archive-date=16 shkurt 2013 |archive-url=https://web.archive.org/web/20130216093251/http://fiek.uni-pr.edu/Shpallje/Departamenti03/Bachelor/Viti-II/Literatura.aspx |url-status=dead }}</ref>
Te ky transistor kemi tri regjione: atë të gate-it (portës), të source-i (burimit) dhe të drain-it (rrjedhës),të cilat formojnë tri terminalet dalëse të transistorit të quajtura sipas këtyre regjioneve. Rryma te MOSFET –i është rezultat i rrjedhës së ngarkesave në regjionin e kanalit.
Gjatësia e kanalit L dhe gjerësia W janë të janë të rendit 1m, që tregon për dimensionet e