Transistori: Dallime mes rishikimesh
[redaktim i pashqyrtuar] | [redaktim i pashqyrtuar] |
Content deleted Content added
SieBot (diskuto | kontribute) v roboti shtoj: te:ట్రాన్సిస్టర్ |
Xqbot (diskuto | kontribute) v roboti shtoj: gan:晶體管; cosmetic changes |
||
Rreshti 1:
[[
Lloji i parë i transistorit që është zbuluar është transistori bipolarë. Ky transistor i ka tri shtresa gjysmëpërçuesish, ku në mes dy tipash të tipit p është vendosur një shtresë e hollë e tipit n, duke formuar transistorin PNP. Ngjashëm fitohet edhe tipi NPN. Vetia e transistorit është se ai funksionon si ndërprerës elektronik. Kjo mundëson përdorimin e transistorëve në qarqet logjike digjitale, në qarqet aritmetike të [[procesori|procesorëve]] të [[kompjuteri|kompjuterëve]] personal, në memoriet e kompjuterëve dhe në shumë zbatime të tjera.
== Historia ==
[[
Synimi i parë pë zbulimin e transistorit u bë në Kanada nga fizikani austo-hungarez Julis E.Lilienfeld më [[22 Tetor]] [[1925]]. Synim tjetër ishte edhe në vtin [[1934]] nga fizikani gjerman Sr. Oskar Heil por pa sukses. Aplikimi i transitorëve të parë daton që nga viti [[1949]], kur fizikani Shokli (William B. Shockley) shpjegoi
== Llojet e transistorëve ==
Shtresat e skajshme të transistorit janë emërtuar si '''Emiter''' dhe '''Kolektor''' ([[anglisht|ang.]]: Emmiter –E dhe Collector-C), ndërsa shtresa e mesme quhet Bazë, ([[anglisht|ang.]] Base-B). Ky lloj i transistorit është përdorur shumë në të kaluarën, veçanërisht si element i veçantë elektronik. Në teknikën e qarqeve të integruara ky lloj i transistorit sot përdoret më pak për shkak se ndërtimi në teknikën e integruar është më i ndërlikuar. Një lloj i veçantë i transistorit që ka zbatim shumë të gjerë, veçanërisht në teknologjinë e qarqeve të integruara digjitale, është transistori me efekt të fushës elektrike ([[anglisht|ang.]]: Field Effect Transistor - FET) dhe sidomos lloji MOSFET apo thjeshtë MOS ([[anglisht|ang.]]:Metal Oxide Seminductor-MOS) me shumë variante dhe nënvariante të tij. Elektroda e tij shënohet me D, S dhe G (ang. Drain, Source and Gate), që në shqip do të thotë Rrjedhë, Burim dhe Portë.
[[
Rryma kryesore që kalon prej D në S kontrollohet me fushën elektrike që shkakton potenciali i elektrodës kontrolluese G. Kur në G ka potencial pozitiv ndaj S, transistori përçon rrymën, sepse në atë rast, për shkak të ndikimit të fushës elektrike të krijuar në G, në shtresën p të trupit të transitorit formohet një kanal përçues i tipit n. Në rastin tjetër kur nuk ka potencial në G, rryma nuk rrjedh fare.
Rreshti 15:
Transistori mund të jenë të tipit p-n-p dhe të tipit n-p-n. Te tipat e tillë të transitorëve bartësit kryesorë të elektricitetit janë elektronet dhe vrima dhe për këtë arsye quhen '''transistorë bipolarë'''. Përveç këtyre tipave, kemi edhe '''transistorë unipolarë'''. Atëherë mund të thuhet se transistori është sistem elektronik i përbërë prej elementeve kryesore: emiterit E, kolektorit C, dhe bazës B. Transistorët unipolarë punojnë vetëm më një lloj elektriciteti: elektrone ose vrima. Këta transitorë janë të njohur me emërtimin transistorë me efekt të fushës. Nëse e kemi të qartë parimin e punës dhe funksionimin e [[dioda|diodës]] kristalore, lehtë mund të kuptojmë edhe dukuritë fizike të transistorëve, pasi që transitori paraqet një kombinim të dy diodave kristalore. Transistori në qarqet elektrike mund të lidhet në tri mënyra: me bazë të përbashkët, me emiter të përbashkët dhe me kolektorë përbashkët. Duhet cekur se çdo lidhje i ka përparësitë e veta në aplikimin praktik të tyre në jetën e përditshme.
[[
[[
Kontakti emiter-bazë ka polarizimin direkt, ndërsa kontakti kolektor-bazë ka polarizimin invers. Në këtë rast qarku emiter-bazë quhet qarku hyrës, ndërsa qarku kolektor-bazë quhet qarku dalës. Elektronet kolonë prej emiterit në bazë, me fjalë të tjera rryma ka kahun e kundërt prej qarkut të jashtëm në transitor dhe ky kah i rrymës elektrike merret si kah negativ. Në qoftë se kahu i rrymës elektrike në transistor përputhet me kahun në qarkun e jashtëm, ky kah i rrymës konsiderohet, natyrisht me marrëveshje, si kah pozitiv. Rryma e kolektorit varet nga rryma e emiterit. Parimisht, transitorit i tipit n-p-n punon sikurse transistori i tipit p-n-p. Transitori me emiter të përbashkët më së shumtë aplikohet në qarqet elektrike. Ky transitor përforcon shumë rrymën dhe tensionet e transistorit, por edhe nga temperatura
Rreshti 37:
{| class="wikitable" style="margin: 1em auto 1em auto"
|+Karakteristikat e materialeve gjysmpërëuese
!Gjysmpërçuesi <br /> material
!Kruqëzimi i përparëm<br /> tensioni <br /> V @ 25
!Lëvizshmëria e elektronit <br /> m²/(V·s) @ 25
!Ndryshimi i vrimës <br /> m²/(V·s) @ 25
!Temperatura maksimale e kryqëzimit <br /> °C
|-
!Ge
Rreshti 57:
== Lidhje të jashtme ==
* http://www.bcae1.com/transers.htm
* http://www.pbs.com/transistor
== Shih edhe këtë ==
{{portal|Elektronika|Nuvola_apps_ksim.png}}
[[
[[af:Transistor]]
Line 88 ⟶ 89:
[[fr:Transistor]]
[[fur:Transistôr]]
[[gan:晶體管]]
[[gl:Transistor]]
[[he:טרנזיסטור]]
|