Il [[transistorTranzistor]]i di memoriamemorjes haka duedy gate.
I pari eshte nje gate tradicional, i lidhur ne menyre elektrike me pjesen tjeter te grupit. Kjo teknologji eshte mbiquajtur ''control gate''. Gate -i i dyte eshte i mbytur ne oksid dhe si pasoje eshte i izoluar elektrikisht. Ky eshte i ndare nga gate -i i pare, si edhe nga kanali i tranzistorit, nepermjet nje shtrese shume te holle materiali izolant. Per kete arsye quhet ''floating gate''.
Il primo è un gate tradizionale, collegato elettricamente con il resto del gruppo. In questa tecnologia è denominato ''control gate''. Il secondo gate è sepolto nell'ossido e quindi isolato elettricamente. Esso è separato dal primo gate, così come dal canale del transistor, per mezzo di un sottilissimo strato di materiale isolante. Per questo motivo è detto ''floating gate''. In gergo, lo si definisce ''flottante''.
[[Tranzistor]]i i memorjes programohet komandimit ne tension te "control gate" -it. Ndryshimi i potencialit ku kjo ekspozohet determinon, ne zonen ku spesori i zvogeluar i oksidit izolues e ben te mundshem. Manifestimi i efektit tunel eshte nje terheqje e elektroneve nga"drain" -i tek "gate" -i i mbytur.
Il [[transistor]] di memoria viene programmato attraverso il pilotaggio in tensione del control gate. La variazione del potenziale a cui questo si trova esposto determina, nella zona in cui il ridotto spessore dell'ossido isolante lo rende possibile, il manifestarsi dell'effetto tunnel e la conseguente attrazione di elettroni dal drain al gate sepolto.
