EEPROM: Dallime mes rishikimesh
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Rreshti 34:
La presenza di questi ultimi determina tuttavia, un maggiore impiego di area rispetto alle EPROM. Per ovviare a questo problema sono nate le [[Memoria flash|memorie flash]]. È bene ricordare che le memorie flash differiscono dalle EEPROM per il fatto che la programmazione si basa, in quest'ultimo caso, sul fenomeno fisico della [[iniezione a valanga]], e non su quello dell'effetto tunnel.
Nje tranzistor aksesi, i komanduar nga word line, luan gjithashtu rolin e te venit ne komunikim te tranzistorit te memorjes me "bit line" -en kur eshte e nevojshme te lexohet e dhena binar e magazinuar nen formes te ngarkeses elektrike ne brendesi te kanlit te tranzistorit.
== Kufizime ==
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