[redaktim i pashqyrtuar][redaktim i pashqyrtuar]
Content deleted Content added
Rreshti 34:
La presenza di questi ultimi determina tuttavia, un maggiore impiego di area rispetto alle EPROM. Per ovviare a questo problema sono nate le [[Memoria flash|memorie flash]]. È bene ricordare che le memorie flash differiscono dalle EEPROM per il fatto che la programmazione si basa, in quest'ultimo caso, sul fenomeno fisico della [[iniezione a valanga]], e non su quello dell'effetto tunnel.
 
Nje tranzistor aksesi, i komanduar nga word line, luan gjithashtu rolin e te venit ne komunikim te tranzistorit te memorjes me "bit line" -en kur eshte e nevojshme te lexohet e dhena binar e magazinuar nen formes te ngarkeses elektrike ne brendesi te kanlit te tranzistorit.
Il transistor di accesso, pilotato dalla word line, svolge inoltre la funzione di mettere in comunicazione il transistor di memoria con la bit line quando è necessario leggere il dato binario immagazzinato sotto forma di carica elettrica all'interno del canale del transistor.
 
== Kufizime ==