EEPROM: Dallime mes rishikimesh
[redaktim i pashqyrtuar] | [redaktim i pashqyrtuar] |
Content deleted Content added
Rreshti 29:
== Tranzistori i aksesit ==
Procesi i shkarkimit te floating gate mund te determinoje, si efekt te padeshiruar, grumbullimin e nje ngarkese pozitive me ndryshim te tensionit te pajisjes. Problemi eshte zgjidhur me futjen e tranzistoreve te aksesit, qe jane pjese e integruar e shasise se memorjes EEPROM.
Prezenca e ketyre te fundit determinon nje madhesi me te madhe se sa ajo e memorjes EPROM. Per te permiresuar kete problem lindi [[Memorje flash|memorja flash]]. Memorjet flash ndryshojne nga memorjet EEPROM per shkak se programimi bazohet, ne rastin e fundit, ne fenomenin fizik te [[induksion]]it, dhe jo ne ate te efektit tunel.
|