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Rreshti 29:
== Tranzistori i aksesit ==
 
ComeSi nelne casorastin dellee memoriememorjeve EPROM, ancheedhe lememorjet EEPROM presentanodeshmojne unanje criticitàkritike legatane allarastin fasee di cancellazionefshirjes.
Procesi i shkarkimit te floating gate mund te determinoje, si efekt te padeshiruar, grumbullimin e nje ngarkese pozitive me ndryshim te tensionit te pajisjes. Problemi eshte zgjidhur me futjen e tranzistoreve te aksesit, qe jane pjese e integruar e shasise se memorjes EEPROM.
Il processo di scarica del floating gate può infatti determinare, come effetto indesiderato, l'accumulo di una carica positiva con conseguente variazione della tensione di soglia del dispositivo. Il problema è stato risolto mediante l'introduzione dei transistori di accesso, che sono parte integrante della cella.
 
Prezenca e ketyre te fundit determinon nje madhesi me te madhe se sa ajo e memorjes EPROM. Per te permiresuar kete problem lindi [[Memorje flash|memorja flash]]. Memorjet flash ndryshojne nga memorjet EEPROM per shkak se programimi bazohet, ne rastin e fundit, ne fenomenin fizik te [[induksion]]it, dhe jo ne ate te efektit tunel.