Transistori bipolar me kontakt

Transistori bipolar me kontakt BJT (nga anglishtja Bipolar Junction Transistor), ka tri shtresa gjysmëpërçuese me doping të ndryshëm dhe përmban dy kontakte pn. Një kontakt i vetëm pn i ka dy mode të punës- për polarizim të drejtë dhe revers. Transistori bipolar me dy kontakte pn, ka pra katër mode të punës, varësisht nga kushtet e polarizimit të secilit kontakt. Me tri regjione të ndara, transistori bipolar është komponentë me tri terminale, dhe parimi themelor i punës së transistorit është që me tensionin në mes të dy terminaleve të kontrollohet rryma nëpër terminalin e tretë.

Bazat e transistorit biploar me kontaktRedakto

Transistori bipolar me kontakt BJT (nga anglishtja Bipolar Junction Transistor), ka tri shtresa gjysmëpërçuese me doping të ndryshëm dhe përmban dy kontakte pn. Një kontakt i vetëm pn i ka dy mode të punës- për polarizim të drejtë dhe revers. Transistori bipolar me dy kontakte pn, ka pra katër mode të punës, varësisht nga kushtet e polarizimit të secilit kontakt. Me tri regjione të ndara, transistori bipolar është komponentë me tri terminale, dhe parimi themelor i punës së transistorit është që me tensionin në mes të dy terminaleve të kontrollohet rryma nëpër terminalin e tretë. Për ta shpjeguar punën e transistorit, do të fillohet me përshkrimin e strukturës themelore dhe përshkrimin kualitativ të veprimit të tij, duke i shfrytëzuar konceptet bazike mbi kontaktin pn të cilat janë paraqitur në kapitujt paraprak. Por, këto dy kontakte pn janë mjaftë afër njëra tjetrës, ashtu që ka ndërveprim në mes tyre, prandaj puna e transistorit plotësisht ndryshon nga puna e dy diodave të vendosura në opozitë.

Rryma në transistor është pasojë e rrjedhës së vrimave dhe elektroneve të lira, prandaj edhe quhen transistor bipolar, për dallim nga transistori FET i cili është unipolar sepse në te rrymën e formon rrjedha e vetëm njërit lloj të bartësve të elektricitetit.

Struktura e transistoritRedakto

Në Fig. është paraqitur bllok diagram i thjeshtuar i strukturës themelore dhe simbolet e të dy tipave të transistorit bipolar: npn dhe pnp. Transistori bipolar përbëhet nga një regjion i hollë p i vendosur në mes të dy regjioneve n. Në anën tjetër, transistori bipolar pnp ka një shtresë të ngushtë të regjionit n në mes të dy shtresave të tipit p. Tri regjionet dhe lidhjet e tyre terminale quhen emiteri (emiter), baza (base) dhe kolektori (collector). Puna e komponentës varet nga dy kontaktet pn të vendosura afër njëra tjetrës, prandaj baza duhet të jetë shumë e ngushtë, në brezin prej disa dhjetëra mikrometra (10-6m).

|   || Struktura themelore dhe simboli i transistorit bipolar tipi pnp

|   || Struktura themelore dhe simboli i transistorit bipolar tipi npn

Transistori npn: modi aktiv i punësRedakto

Pasi që transistori ka dy kontakte pn, në këtë komponentë mund të zbatohen katër kombinime të mundshme të polarizimit, varësisht nga zbatimi polarizimit të drejtë ose revers në secilin kontakt. Për shembull, nëse transistori shfrytëzohet si komponentë amplifikuese, kontakti bazë-emiter (B-E) është i polarizuar drejtë ndërsa kontakti bazë- kolektor (B-C) ka polarizim revers, dhe konfiguracioni i tillë quhet modi aktiv i punës ose regjioni aktiv.

Siq shihet ne fig. pasi që kontakti B-E ka polarizim të drejtë, elektronet nga emiteri futen përmes këtij kontakti në brendi të bazës, duke krijuar një rritje të koncentrimit të bartësve minor në bazë. Kontakti tjetër B-C ka polarizim revers, prandaj koncentrimi i elektroneve në skaj të këtij kontakti është përafërsisht zero.

 

Transistori pnp: modi aktiv i punësRedakto

Komponenti komplementar i transistorit npn është transistori pnp, rrjedha e rrymave të elektroneve dhe vrimave për të cilin është paraqitur në Fig. Pasi që kontakti B-E ka polarizim të drejtë, emiteri i tipit p është pozitiv ndaj bazës së tipit n, vrimat difuzohen përmes bazës dhe zhvendosen kah kolektori. Rryma e kolektorit është rezultat i rrjedhës së këtyre vrimave.

 

HyrjeRedakto

Karakteristikat drejtuese tension-rrymë të diodës, janë shumë të dobishme në qarqet elektronike ndërprerëse dhe te qarqet për përpunimin e formës valore të sinjaleve. Ndërkaq, diodat nuk janë në gjendje të përforcojnë (amplifikojnë) rrymë ose tension. Komponenti elektronik i cili ka aftësi të përforcimit të tensionit ose të rrymës, në bashkëveprim me elementet tjera të qarkut, është transistori, i cili është komponentë me tri terminale.

Për ta shpjeguar punën e transistorit, do të fillohet me përshkrimin e strukturës themelore dhe përshkrimin kualitativ të veprimit të tij, duke i shfrytëzuar konceptet bazike mbi kontaktin pn të cilat janë paraqitur në kapitujt paraprak. Por, këto dy kontakte pn janë mjaftë afër njëra tjetrës, ashtu që ka ndërveprim në mes tyre, prandaj puna e transistorit plotësisht ndryshon nga puna e dy diodave të vendosura në opozitë.

Rryma në transistor është pasojë e rrjedhës së vrimave dhe elektroneve të lira, prandaj edhe quhen transistor bipolar, për dallim nga transistori FET i cili është unipolar sepse në te rrymën e formon rrjedha e vetëm njërit lloj të bartësve të elektricitetit.

Struktura e transistoritRedakto

Në figuren më posht është paraqitur bllok diagram i thjeshtuar i strukturës themelore dhe simbolet e të dy tipave të transistorit bipolar: npn dhe pnp. Transistori bipolar npn përbëhet nga një regjion i hollë p i vendosur në mes të dy regjioneve n. Në anën tjetër, transistori bipolar pnp ka një shtresë të ngushtë të regjionit n në mes të dy shtresave të tipit p. Tri regjionet dhe lidhjet e tyre terminale quhen emiteri (emiter), baza (base) dhe kolektori (collector). Puna e komponentës varet nga dy kontaktet pn të vendosura afër njëra tjetrës, prandaj baza duhet të jetë shumë e ngushtë, në brezin prej disa dhjetëra mikrometra(10-6m).

Struktura themelore dhe simboli i transistorit bipolar: (a) tipi npn dhe (b) tipi pnp

Struktura aktuale e transistorit bipolar është dukshëm më e komplikuar se ajo e paraqitur në Fig, sepse regjionet e emiterit dhe kolektorit nuk kanë zakonisht gjeometri të njëjtë, elektrikisht janë asimetrike dhe nuk kanë koncentrim të njëjtë të dopingut të jopastërtive. Për shembull, koncentrimi i dopingut të jopastërtive në emiter, bazë dhe kolektor mund të jetë i rendit 1019, 1017, dhe 1015 cm-3. Në figuren e më poshtme është paraqitur prerja teknologjike e transistorit bipolar diskret dhe atij të integruar.

Prerja teknologjike e transistorit bipolar diskret dhe atij të integruar

ReferimetRedakto

  • Myzafere Limani. Elektronika 1.

https://attachment.fbsbx.com/file_download.php?id=676168339080888&eid=ASu4Slzp6MNs3M1ZfCLqnO2WbeWsZocjpxcYetNs7rV6TuorEil-WZ0fH9wmmfxa--0&inline=1&ext=1402421540&hash=ASuf1jgkOsX0prc4[lidhje e vdekur]