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Rreshti 32: Il processo di scarica del floating gate può infatti determinare, come effetto indesiderato, l'accumulo di una carica positiva con conseguente variazione della tensione di soglia del dispositivo. Il problema è stato risolto mediante l'introduzione dei transistori di accesso, che sono parte integrante della cella. Prezenca e ketyre te fundit determinon nje madhesi me te madhe se sa ajo e memorjes EPROM. Per te permiresuar kete problem lindi [[Memorje flash\|memorja flash]]. Memorjet flash ndryshojne nga memorjet EEPROM per shkak se programimi bazohet, ne rastin e fundit, ne fenomenin fizik te [[induksion]]it, dhe jo ne ate te efektit tunel. La presenza di questi ultimi determina tuttavia, un maggiore impiego di area rispetto alle EPROM. Per ovviare a questo problema sono nate le [[Memoria flash\|memorie flash]]. È bene ricordare che le memorie flash differiscono dalle EEPROM per il fatto che la programmazione si basa, in quest'ultimo caso, sul fenomeno fisico della [[iniezione a valanga]], e non su quello dell'effetto tunnel. Nje tranzistor aksesi, i komanduar nga word line, luan gjithashtu rolin e te venit ne komunikim te tranzistorit te memorjes me "bit line" -en kur eshte e nevojshme te lexohet e dhena binar e magazinuar nen formes te ngarkeses elektrike ne brendesi te kanlit te tranzistorit.

EEPROM: Dallime mes rishikimesh