Kujtesë hyrëse e fuqishme rastësore: Dallime mes rishikimesh
| [redaktim i pashqyrtuar] | [redaktim i pashqyrtuar] |
Content deleted Content added
v Memorie me hyrje dinamike të rastësishme u zhvendos tek Kujtesë hyrëse e fuqishme rastësore. Arsyja: Shqip |
vNo edit summary |
||
Rreshti 1:
{{Memorie kompiuteri}}
'''Kujtesë hyrëse e fuqishme rastësore''' ([[ang.]] '''D'''ynamic '''R'''andom '''A'''ccess '''M'''emory, shkurt '''DRAM'''), është një lloj [[Kujtesa kompjuterike|kujtesë kompjuterike]] [[RAM]] që ruan çdo [[bit]] të dhënash në një [[Kondensatori|kondensator]] të veçuar me një [[Qarku i brendësuar|qark të brendësuar]]. Ngaqë kondensatorëve u mungon ngarkesa elektrike, informacioni humbet, vetëm nëse ngarkesa e kondensatorëve rifreskohet herë-pas-here informacioni mund të ruhet. Për shkak të këtij rifreskimi, kjo lloj kujtese quhet ''e fuqishme'' apo dinamike, e kundërt me kujtesën [[SRAM]] dhe kujtesa të tjera ''ndenjëse''. Prandaj kujtesa DRAM ka përparësi ndaj asaj SRAM, për shkak të thjeshtësisë së saj ndërtimore: vetëm një [[Tranzistori|tranzistor]] dhe një kondensator nevojiten për bitin, në krahasim me gjashtë tranzistorët që përdor kujtesa SRAM. Kjo e lejon kujtesën DRAM të arrijë një [[Dendësia ruajtëse kompjuterike|dendësi mbajtëse]] shumë të lartë. Ashtu si kujtesa SRAM, edhe ajo DRAM bën pjesë në pajisjet e [[Kujtesa avulluese|kujtesave avulluese]], sepse ato i humbasin të dhënat kur ushqimi elektrik ndërpritet.
==Historia==
==Parimi i punimit==
==Llojet==
==Shiko edhe==
* [[DIMM]]
* [[Kujtesa rrufe]]
* [[SRAM]]
* [[RAM]]
==Lidhje të jashtme==
*{{en}}[http://www.cs.berkeley.edu/~pattrsn/294/LEC9/lec.html Parimi i punimit të kujtesës DRAM]
[[Category:Kujtesë kompjuterike]]
{{tek-cung}}
| |||