Kujtesë hyrëse e fuqishme rastësore: Dallime mes rishikimesh

 

'''Kujtesë hyrëse e fuqishme rastësore''' ([[ang.]] '''D'''ynamic '''R'''andom '''A'''ccess '''M'''emory, shkurt '''DRAM'''), është një lloj [[Kujtesa kompjuterike|kujtesë kompjuterike]] [[RAM]] që ruan çdo [[bit]] të dhënash në një [[Kondensatori|kondensator]] të veçuar me një [[Qarku i brendësuar|qark të brendësuar]]. Ngaqë kondensatorëve u mungon ngarkesa elektrike, informacioni humbet, vetëm nëse ngarkesa e kondensatorëve rifreskohet herë-pas-here informacioni mund të ruhet. Për shkak të këtij rifreskimi, kjo lloj kujtese quhet ''e fuqishme'' apo dinamike, e kundërt me kujtesën [[SRAM]] dhe kujtesa të tjera ''ndenjëse''. Prandaj kujtesa DRAM ka përparësi ndaj asaj SRAM, për shkak të thjeshtësisë së saj ndërtimore: vetëm një [[Tranzistori|tranzistor]] dhe një kondensator nevojiten për bitin, në krahasim me gjashtë tranzistorët që përdor kujtesa SRAM. Kjo e lejon kujtesën DRAM të arrijë një [[Dendësia ruajtëse kompjuterike|dendësi mbajtëse]] shumë të lartë. Ashtu si kujtesa SRAM, edhe ajo DRAM bën pjesë në pajisjet e [[Kujtesa avulluese|kujtesave avulluese]], sepse ato i humbasin të dhënat kur ushqimi elektrik ndërpritet.

 

==Llojet==

* [[DIMM]]

* [[Kujtesa rrufe]]

* [[SRAM]]

* [[RAM]]

 

 

[[af:Dinamiese ewetoeganklike geheue]]

[[pl:Pamięć dynamiczna (informatyka)]]

[[pt:Dynamic random access memory]]

[[ru:DRAM]]

[[simple:Dynamic random access memory]]